Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 310 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- RS Stock No.:
- 826-9991
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 500 ชิ้น)*
THB1,230.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,316.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 10,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB2.461 | THB1,230.50 |
| 1000 - 1000 | THB2.399 | THB1,199.50 |
| 1500 + | THB2.362 | THB1,181.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 826-9991
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 310mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | OptiMOS P | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.25 mm | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-427 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 310mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series OptiMOS P | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.25 mm | ||
Length 2mm | ||
Height 0.8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-427 | ||
Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 310 mA Maximum Continuous Drain Current, 250 mW Maximum Power Dissipation - BSS223PWH6327XTSA1
Features & Benefits
Applications
What is the maximum current the component can handle?
How is this component optimised for high-temperature environments?
What type of mounting does this transistor accommodate?
Does it comply with any automotive standards?
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS223PWH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DSO
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin DSO BSO201SPHXUMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
- Nexperia 2N7002BKW Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD042P03L3GATMA1
