Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 124-8767
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB132,270.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB141,530.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB52.908 | THB132,270.00 |
| 5000 - 7500 | THB51.321 | THB128,302.50 |
| 10000 + | THB49.782 | THB124,455.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-8767
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 135nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 135nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD042P03L3GATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
