Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 165-6872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD042P03L3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB75,487.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB80,772.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB30.195 | THB75,487.50 |
| 5000 - 7500 | THB29.289 | THB73,222.50 |
| 10000 + | THB28.41 | THB71,025.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD042P03L3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | OptiMOS P | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 131nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Width | 5.97 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series OptiMOS P | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 131nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Width 5.97 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
Enhancement mode
Avalanche rated
Low switching and conduction power losses
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Standard packages
OptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD042P03L3GATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
