Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 827-0134
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS215PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 250 ชิ้น)*
THB1,427.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,527.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 250 - 500 | THB5.71 | THB1,427.50 | - |
| 750 - 1250 | THB5.567 | THB1,391.75 | 2% |
| 1500 + | THB5.482 | THB1,370.50 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0134
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS215PH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | OptiMOS P | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -12V, +12V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.3mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series OptiMOS P | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.3mm | ||
Length 2.9mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 280mΩ Maximum Drain Source Resistance - BSS215PH6327XTSA1
Features and Benefits:
• Maximum drain current 1.18A supports moderate load switching capability
• Drain-source voltage rating of 20V enables safe operation in 12V systems
• Typical gate charge 3.6nC allows faster switching with lower drive energy
• Power dissipation 500mW limits thermal stress in low-power designs
• Rated gate-source tolerance 12V ensures resilience to gate overdrive
Applications
• Ideal for load disconnect in automotive auxiliary circuits
• Used for DC-DC converter control in compact power supplies
• Can be used for reverse polarity protection in 12V installations
• Appropriate for signal-level switching in sensor interface modules
What temperature range can it tolerate during operation?
How is the device packaged for assembly on PCBs?
What gate drive considerations should I account for?
Is the device suitable for automotive qualification?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS308PEH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS314PEH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC030P03NS3GAUMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ086P03NS3GATMA1
