Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ086P03NS3EGATMA1

RS Stock No.:: 825-9134
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ086P03NS3EGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB553.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB592.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

14,080 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 1240	THB27.691	THB553.82
1260 - 2480	THB26.998	THB539.96
2500 +	THB26.583	THB531.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 825-9134
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	OptiMOS P
	Package Type	TSDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Width	3.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series OptiMOS P
	Package Type TSDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Width 3.4 mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

Enhancement mode

Avalanche rated

Low switching and conduction power losses

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Standard packages

OptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ086P03NS3EGATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง