Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-6878
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSZ086P03NS3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS P

Package Type

TSDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs


The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

Enhancement mode

Avalanche rated

Low switching and conduction power losses

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Standard packages

OptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง