Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

RS Stock No.:: 165-6879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB63,405.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67,845.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB12.681	THB63,405.00
10000 - 15000	THB12.301	THB61,505.00
20000 +	THB11.932	THB59,660.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ086P03NS3EGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSDSON
	Series	OptiMOS P
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSDSON
	Series OptiMOS P
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 40A Maximum Continuous Drain Current - BSZ086P03NS3EGATMA1

This MOSFET is a P‑channel enhancement device designed for high‑current switching in compact surface‑mount assemblies. It operates across a wide temperature range suitable for demanding electronic environments and is built to handle significant drain currents and power dissipation. The package is a low‑profile 8‑pin TSDSON for efficient PCB mounting and thermal performance.

Features and Benefits:

• Low on‑resistance reduces conduction losses during high currents
• 40A continuous drain current supports heavy load switching
• 69W maximum power dissipation enables higher power handling
• 43.2nC typical gate charge balances switching speed and drive effort
• 25V gate tolerance allows robust gate‑drive margins
• 30V drain‑source rating suits moderate voltage system designs

Applications

• Suitable for point‑of‑load power conversion modules
• Ideal for synchronous buck converter switches
• Used with battery management circuits in power systems
• Can be used for motor‑driver low‑side/power‑path control
• Appropriate for telecoms and server power rails

What thermal extremes can it withstand during operation?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, accommodating wide ambient and junction variations.

How many pins and which mounting method does it use?

The device uses an 8‑pin footprint and is intended for surface mounting in a TSDSON package.

What electrical characteristic limits conduction losses?

The device’s maximum drain‑source resistance is 13.4mΩ, which governs on‑state voltage drop and efficiency.

What gate‑driving considerations are relevant for switching design?

With a typical gate charge of 43.2nC and a maximum gate‑source rating of 25V, drive circuitry must supply sufficient charge while staying within voltage limits.