Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3

RS Stock No.:: 819-3923
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ4850EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 40 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB826.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB884.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

2,200 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
20 - 20	THB41.32	THB826.40	-
40 - 80	THB40.287	THB805.74	2%
100 - 180	THB39.279	THB785.58	4%
200 - 380	THB38.297	THB765.94	7%
400 +	THB37.339	THB746.78	9%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 819-3923
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ4850EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SQ Rugged
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	47mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	6.8W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.55mm
	Width	4mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SQ Rugged
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 6.8W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.55mm
	Width 4mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101