Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3

RS Stock No.:: 819-3923
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ4850EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB726.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB777.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

2,380 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 20	THB36.336	THB726.72
40 - 80	THB35.428	THB708.56
100 - 180	THB34.542	THB690.84
200 - 380	THB33.678	THB673.56
400 +	THB32.836	THB656.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 819-3923
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ4850EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SQ Rugged
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	47mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Power Dissipation Pd	6.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4 mm
	Height	1.55mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SQ Rugged
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 47mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Power Dissipation Pd 6.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 4 mm
	Height 1.55mm
	Length 5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101