Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
170-8409
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ4850EY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

47mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Width

4mm

Height

1.55mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง