Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 32 A, 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8

RS Stock No.:: 170-8303
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ412EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 32 A, 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB109,176.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB116,817.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB36.392	THB109,176.00
6000 - 9000	THB35.301	THB105,903.00
12000 +	THB34.242	THB102,726.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 170-8303
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ412EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	SQ Rugged
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5.03 mm
	Length	5mm
	Height	1.14mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series SQ Rugged
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5.03 mm
	Length 5mm
	Height 1.14mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101