Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
RS Stock No.:
165-6982
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ2310ES-T1_BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8V, +8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Height

1.02mm

Width

1.4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง