Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET SI5935CDC-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB342.14

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB366.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 1,980 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB17.107THB342.14
760 - 1480THB16.68THB333.60
1500 +THB16.423THB328.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
818-1352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI5935CDC-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

ChipFET

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

156mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.7 mm

Length

3.1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง