Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET SI5935CDC-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 818-1352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5935CDC-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB342.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB366.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,980 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB17.107 | THB342.14 |
| 760 - 1480 | THB16.68 | THB333.60 |
| 1500 + | THB16.423 | THB328.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 818-1352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5935CDC-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | ChipFET | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 156mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.7 mm | |
| Length | 3.1mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type ChipFET | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 156mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.7 mm | ||
Length 3.1mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 4.5 A 6-Pin SC-70
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
