Vishay SiHF640L Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

RS Stock No.:: 815-2635
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF640L-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHF640L Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB774.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB828.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB77.462	THB774.62
20 - 20	THB75.526	THB755.26
30 +	THB74.364	THB743.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 815-2635
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF640L-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	SiHF640L
	Package Type	TO-262
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	130W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.83 mm
	Height	11.3mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series SiHF640L
	Package Type TO-262
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 130W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.83 mm
	Height 11.3mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SiHF640L Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง