N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK Vishay SIHF640L-GE3

RS Stock No.:: 815-2635
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF640L-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK Vishay SIHF640L-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)

THB77.462

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB82.884

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 09/02/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 10	THB77.462	THB774.62
20 - 20	THB75.526	THB755.26
30 +	THB74.364	THB743.64

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 815-2635
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF640L-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Package Type	I2PAK (TO-262)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	180 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	130 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs	70 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Transistor Material	Si
Height	11.3mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK Vishay SIHF640L-GE3

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง