Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4020PBF
- RS Stock No.:
- 688-6939
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4020PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB310.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB332.355
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 80 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 790 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB62.122 | THB310.61 |
| 15 - 20 | THB60.568 | THB302.84 |
| 25 + | THB59.634 | THB298.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 688-6939
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4020PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.02mm | |
| Length | 10.66mm | |
| Width | 4.82 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-43-452 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.02mm | ||
Length 10.66mm | ||
Width 4.82 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-43-452 | ||
Digital Audio MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF640NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF640NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4020TRLPBF
- Vishay IRF640 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF640PBF
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP20NF20
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220