N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK Vishay SIHF640L-GE3

RS Stock No.:: 165-6089
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF640L-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK Vishay SIHF640L-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (In a Tube of 50)**

THB52.304

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB55.965

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ขออภัย เราไม่สามารถตรวจสอบสต็อคสินค้าได้ในเวลานี้ โปรดรีเฟรชเพจอีกครั้ง

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	Per Tube**
50 - 50	THB52.304	THB2,615.20
100 - 150	THB50.735	THB2,536.75
200 +	THB49.212	THB2,460.60

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6089
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHF640L-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Package Type	I2PAK (TO-262)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	180 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	130 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Length	10.67mm
Width	4.83mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	70 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	11.3mm

N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin I2PAK Vishay SIHF640L-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง