Vishay IRF640 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF640PBF
- RS Stock No.:
- 541-0452
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF640PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,779.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,904.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB35.597 | THB1,779.85 |
| 100 - 200 | THB35.587 | THB1,779.35 |
| 250 - 450 | THB35.567 | THB1,778.35 |
| 500 - 950 | THB35.542 | THB1,777.10 |
| 1000 + | THB35.532 | THB1,776.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-0452
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF640PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRF640 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Width | 4.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRF640 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.41mm | ||
Width 4.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4020PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF640NPBF
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP20NF20
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHF640L Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3
- Vishay SiHF640L Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD25NF20
