Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 0.52 A, 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 180-7265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1411DH-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB49,272.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52,722.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB16.424 | THB49,272.00 |
| 6000 - 9000 | THB15.932 | THB47,796.00 |
| 12000 + | THB15.454 | THB46,362.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1411DH-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.52A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.4 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.52A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.4 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Siliconix SI1411DH series TrenchFET P channel power MOSFET has drain to source voltage of 150 V. It is used in active clamp circuits in DC/DC power supplies.
Small, thermally enhanced SC-70 package
Ultra low on-resistance
Pb-free
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1411DH-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1401EDH-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
