Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB26.677

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28.544

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

9820 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 620	THB26.677	THB533.54
640 - 1240	THB26.01	THB520.20
1260 +	THB25.611	THB512.22

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	4.7 A, 6.8 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	42.5 mΩ, 62 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	3 W, 3.1 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	2
Length	5mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	4mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง