Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB555.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB593.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

กำลังจะเลิกผลิต

9,520 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB27.754	THB555.08
640 - 1240	THB27.06	THB541.20
1260 +	THB26.644	THB532.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	Si4599DY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.045Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	JEDEC JS709A, RoHS
	Width	4 mm
	Height	1.55mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series Si4599DY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.045Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals JEDEC JS709A, RoHS
	Width 4 mm
	Height 1.55mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4599DY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง