Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9008
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4948BEY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB241.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB258.705

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
2,965 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB48.356	THB241.78
625 - 1245	THB47.148	THB235.74
1250 +	THB46.424	THB232.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9008
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4948BEY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Width	4 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Isolated
	Width 4 mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง