Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB241.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB258.705

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • 2,945 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB48.356THB241.78
625 - 1245THB47.148THB235.74
1250 +THB46.424THB232.12

*price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์:
RS Stock No.:
787-9008
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
SI4948BEY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง