Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

RS Stock No.:: 165-7255
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 2500)

THB13.671

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14.628

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

9820 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
2500 - 2500	THB13.671	THB34,177.50
5000 - 7500	THB13.261	THB33,152.50
10000 +	THB12.863	THB32,157.50

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-7255
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	4.7 A, 6.8 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	42.5 mΩ, 62 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	3 W, 3.1 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V
Length	5mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	4mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.55mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง