Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB34,177.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB36,570.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 7,500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB13.671THB34,177.50
5000 - 7500THB13.261THB33,152.50
10000 +THB12.863THB32,157.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-7255
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4599DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

Si4599DY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.045Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.55mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง