Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3145
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2377EDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB267.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB285.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 6,680 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB13.363	THB267.26
760 - 1480	THB13.029	THB260.58
1500 +	THB12.829	THB256.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3145
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2377EDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	Si2377EDS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	165mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4 mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series Si2377EDS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4 mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.04mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง