Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 165-6912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2377EDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB19,809.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB21,195.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB6.603 | THB19,809.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB6.405 | THB19,215.00 | 2% |
| 12000 + | THB6.213 | THB18,639.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2377EDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | Si2377EDS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 165mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series Si2377EDS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2307CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
- Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3
- Vishay Si2323DDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
- Vishay Si2343CDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2365EDS-T1-GE3