Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB520.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB557.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • เพิ่มอีก 60 ิชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • 15,600 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB26.04THB520.80
760 - 1480THB25.389THB507.78
1500 +THB24.998THB499.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3123
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2337DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-50°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง