Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 812-3123
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2337DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB578.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB619.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 580 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 15 พฤษภาคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB28.938 | THB578.76 |
| 760 - 1480 | THB28.215 | THB564.30 |
| 1500 + | THB27.781 | THB555.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 812-3123
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2337DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.303Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -50°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21 | |
| Height | 1.02mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.303Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -50°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21 | ||
Height 1.02mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23