IXYS Single HiperFET, Q3-Class 1 Type N, Type N-Channel MOSFET, 15 A, 1000 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH15N100Q3
- RS Stock No.:
- 801-1389
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH15N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
- RS Stock No.:
- 801-1389
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH15N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N, Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1000V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HiperFET, Q3-Class | |
| Mount Type | Through Hole, Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.05Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 690W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 16.26mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N, Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1000V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HiperFET, Q3-Class | ||
Mount Type Through Hole, Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 690W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.26mm | ||
Height 16.26mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS