IXYS Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247

RS Stock No.:: 168-4708
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFR24N100Q3
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB30,628.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB32,772.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB1,020.935	THB30,628.05
60 - 90	THB998.741	THB29,962.23
120 +	THB976.548	THB29,296.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4708
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFR24N100Q3
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Package Type	ISOPLUS247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	490mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	140nC
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.21 mm
	Height	21.34mm
	Length	16.13mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Package Type ISOPLUS247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 490mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.21 mm
	Height 21.34mm
	Length 16.13mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง