IXYS Single HiperFET, Q3-Class 1 Type N-Channel MOSFET, 82 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB82N60Q3
- RS Stock No.:
- 168-4696
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFB82N60Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB27,804.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,751.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB1,112.194 | THB27,804.85 |
| 50 - 75 | THB1,088.015 | THB27,200.38 |
| 100 + | THB1,063.837 | THB26,595.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4696
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFB82N60Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 82A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | HiperFET, Q3-Class | |
| Package Type | PLUS264 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Height | 26.59mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Length | 20.29mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 82A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series HiperFET, Q3-Class | ||
Package Type PLUS264 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Height 26.59mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Length 20.29mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Single HiperFET 82 A 3-Pin PLUS264 IXFB82N60Q3
- IXYS HiperFET 15 A 3-Pin TO-247 IXFH15N100Q3
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin PLUS264
- IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB90N85X
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin PLUS264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB132N50P3