IXYS Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 168-4698
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH18N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB18,188.34
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,461.51
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB606.278 | THB18,188.34 |
| 60 - 90 | THB593.099 | THB17,792.97 |
| 120 + | THB579.919 | THB17,397.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4698
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH18N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1kV | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 660mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 16.26mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 660mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 16.26mm | ||
Length 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH18N100Q3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR24N100Q3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-264
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Linear Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH12N100L
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK32N100Q3