IXYS Type N-Channel MOSFET, 70 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 168-4699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH70N20Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB11,812.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,638.97
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 330 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB393.737 | THB11,812.11 |
| 60 - 90 | THB385.178 | THB11,555.34 |
| 120 + | THB376.618 | THB11,298.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH70N20Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 690W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.3 mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 690W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.3 mm | ||
Length 16.26mm | ||
Height 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH70N20Q3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH74N20P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH96N20P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH120N20P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247