Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 787-9468
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ3460EV-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB635.25
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB338.58
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB362.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 740 | THB33.858 | THB338.58 | - |
| 750 - 1490 | THB33.011 | THB330.11 | THB635.25 |
| 1500 + | THB32.503 | THB325.03 | THB2,032.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9468
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ3460EV-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | SQ Rugged | |
| Package Type | TSOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 53mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 770mV | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Width | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series SQ Rugged | ||
Package Type TSOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 53mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 770mV | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.1mm | ||
Width 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS462EN-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8 SQJ412EP-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD25N06-22L_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L-GE3
