N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA06DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9373
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA06DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA06DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Tape of 5)

THB39.302

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB42.053

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 23/02/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	Per Tape**
5 - 745	THB39.302	THB196.51
750 - 1495	THB38.32	THB191.60
1500 +	THB37.732	THB188.66

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9373
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA06DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	40 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK SO
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	3.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	62.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	5.26mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	51 nC @ 10 V
Length	6.25mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm

N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA06DP-T1-GE3

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง