N-Channel MOSFET, 9.5 A, 25 V, 6-Pin MICRO FOOT Vishay SI8406DB-T2-E1
- RS Stock No.:
- 787-9263P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8406DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB164.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB176.48
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 40 | THB8.247 |
| 50 - 90 | THB8.07 |
| 100 - 190 | THB7.894 |
| 200 + | THB7.718 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9263P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8406DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.5 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V | |
| Package Type | MICRO FOOT | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.4 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V | |
| Maximum Power Dissipation | 2.9 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Transistor Material | Si | |
| Width | 1mm | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Length | 1.5mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Height | 0.31mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 9.5 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 25 V | ||
Package Type MICRO FOOT | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance 12.4 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V | ||
Maximum Power Dissipation 2.9 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Transistor Material Si | ||
Width 1mm | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V | ||
Length 1.5mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Height 0.31mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 8 V, 6-Pin MICRO FOOT SI8416DB-T2-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 8 V, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8824EDB-T2-E1
