onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6303N

RS Stock No.:: 739-0189
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDG6303N
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6303N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB93.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB100.325

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

65 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB18.752	THB93.76
750 - 1495	THB18.284	THB91.42
1500 +	THB18.004	THB90.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 739-0189
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDG6303N
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	770mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.64nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	300mW
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1mm
	Width	1.25 mm
	Length	2mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 770mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.64nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 300mW
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1mm
	Width 1.25 mm
	Length 2mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6303N

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง