onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6303N
- RS Stock No.:
- 739-0189
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDG6303N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB45.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB49.155
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 15 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB9.188 | THB45.94 |
| 750 - 1495 | THB8.958 | THB44.79 |
| 1500 + | THB8.82 | THB44.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 739-0189
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDG6303N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 500mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 770mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2mm | |
| Height | 1mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 500mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 770mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300mW | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2mm | ||
Height 1mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type P 680 mA 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6303N
- onsemi Isolated 2 Type P 680 mA 6-Pin SOT-23 FDC6321C
- onsemi Isolated 2 Type N Type P 700 mA 6-Pin SOT-363 FDG6332C
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G