onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

RS Stock No.:: 178-7601
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDG6303N
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB12,729.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,620.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB4.243	THB12,729.00
6000 - 9000	THB4.116	THB12,348.00
12000 +	THB3.993	THB11,979.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-7601
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDG6303N
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	770mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.64nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300mW
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2mm
	Width	1.25 mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 770mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.64nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300mW
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2mm
	Width 1.25 mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

MOSFET N Channel 25V 0.5A 6 Pin SC-70

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง