onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
178-7601
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDG6303N
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

500mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

770mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.64nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

300mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Width

1.25 mm

Length

2mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง