onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- RS Stock No.:
- 166-1659
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002V
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB26,820.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,710.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB8.94 | THB26,820.00 |
| 6000 - 9000 | THB8.671 | THB26,013.00 |
| 12000 + | THB8.411 | THB25,233.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-1659
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002V
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 280mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-563 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Length | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.2 mm | |
| Height | 0.6mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 280mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-563 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Length 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.2 mm | ||
Height 0.6mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 2N7002V
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 2N7002VC-7
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 620 mA 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 620 mA 6-Pin SOT-563 DMG1029SV-7
- onsemi Isolated 2 Type P 510 mA 6-Pin SOT-23