onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6303N
- RS Stock No.:
- 354-4941
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6303N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB17.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 23 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 2,837 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 749 | THB17.20 |
| 750 - 1499 | THB16.75 |
| 1500 + | THB16.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 354-4941
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6303N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 680mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.83V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 900mW | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.7 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 680mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf 0.83V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 900mW | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.7 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type P 680 mA 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type P 680 mA 6-Pin SOT-23 FDC6321C
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6303N
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 50 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
