onsemi Isolated 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6321C

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB25.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 649 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 4,907 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 749THB25.32
750 - 1499THB24.69
1500 +THB24.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
354-4985
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDC6321C
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

680mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

900mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8/8 V

Forward Voltage Vf

0.89V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Height

1mm

Width

1.7 mm

Length

3mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Digital FETs, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง