onsemi Isolated 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6321C
- RS Stock No.:
- 354-4985
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6321C
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB25.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 649 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 4,907 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 749 | THB25.32 |
| 750 - 1499 | THB24.69 |
| 1500 + | THB24.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 354-4985
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6321C
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 680mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.89V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8/8 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 900mW | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Length | 3mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 680mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Forward Voltage Vf 0.89V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8/8 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 900mW | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Length 3mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Digital FETs, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type P 680 mA 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6303N
- onsemi Isolated 2 Type P 510 mA 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type P 510 mA 6-Pin SOT-23 NDC7001C
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6303N
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N
