onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G

RS Stock No.:: 780-0611
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTJD4152PT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB297.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB318.175

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

เพิ่มอีก 23,150 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB11.894	THB297.35
750 - 1475	THB11.597	THB289.93
1500 +	THB11.419	THB285.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 780-0611
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTJD4152PT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	880mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±12 V
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	350mW
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.35 mm
	Length	2.2mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 880mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 350mW
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.35 mm
	Length 2.2mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง