Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML6244TRPBF

RS Stock No.:: 737-7228
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-316
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6244TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML6244TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB151.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB162.52

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB7.594	THB151.88
760 - 1480	THB7.442	THB148.84
1500 +	THB7.293	THB145.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 737-7228
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-316
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6244TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	27mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.04mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 6.3A Maximum Continuous Drain Current - IRLML6244TRPBF

This MOSFET is a low-voltage switching transistor designed for surface-mount applications where compact power handling is required. It functions as an N-channel enhancement device suitable for power-management roles in densely populated electronic assemblies. The component operates across a wide temperature range and tolerates standard gate-drive excursions, making it appropriate for high-efficiency DC-DC conversion and general switching duties.

Features and Benefits:

• Very low on-resistance 27mΩ reduces conduction losses
• Continuous drain current 6.3A supports higher load currents
• Drain-source voltage rating 20V enables low-voltage power designs
• Maximum power dissipation 1.3W allows sustained thermal loading
• Gate charge 8.9nC enables efficient switching performance
• Gate-source tolerance 12V permits robust drive margin

Applications

• Suitable for DC-DC converter stages in compact electronics
• Ideal for battery management and portable power circuits
• Used with switching regulators in telecom equipment
• Can be used for load switching in small motor drivers
• Useful for power path control in consumer devices

What temperature extremes can it withstand in operation?

It is rated for operation from -55°C up to 150°C, allowing use in harsh thermal environments.

How does package choice affect thermal and assembly considerations?

The SOT-23 surface-mount package minimises board footprint and supports automated placement while limiting thermal conduction compared with larger packages.

What pin configuration is available for PCB layout?

The device presents a three-pin arrangement compatible with standard SOT-23 land patterns for straightforward routing.

How does channel behaviour influence design topology?

As an N-channel enhancement device, it requires a positive gate drive relative to source to switch and is suited to low-side switching or synchronous rectification roles.