Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 6.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML6244TRPBF
- RS Stock No.:
- 737-7228
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-45-316
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML6244TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 760 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB110.96
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB146.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB156.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 20 - 740 | THB7.33 | THB146.60 | - |
| 760 - 1480 | THB7.184 | THB143.68 | THB110.96 |
| 1500 + | THB7.04 | THB140.80 | THB435.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 737-7228
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-45-316
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML6244TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -12V, +12V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4mm | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 6.3A Maximum Continuous Drain Current - IRLML6244TRPBF
Features and Benefits:
• Continuous drain current 6.3A supports higher load currents
• Drain-source voltage rating 20V enables low-voltage power designs
• Maximum power dissipation 1.3W allows sustained thermal loading
• Gate charge 8.9nC enables efficient switching performance
• Gate-source tolerance 12V permits robust drive margin
Applications
• Ideal for battery management and portable power circuits
• Used with switching regulators in telecom equipment
• Can be used for load switching in small motor drivers
• Useful for power path control in consumer devices
What temperature extremes can it withstand in operation?
How does package choice affect thermal and assembly considerations?
What pin configuration is available for PCB layout?
How does channel behaviour influence design topology?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV20XNEAR
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
