Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML0040TRPBF

RS Stock No.:: 725-9347
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML0040TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML0040TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB156.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB167.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

640 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB7.819	THB156.38
760 - 1480	THB7.623	THB152.46
1500 +	THB7.505	THB150.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 725-9347
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML0040TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SOT-23
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	56mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.6nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-45-310

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SOT-23
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.6nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4 mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-45-310

Infineon HEXFET Series MOSFET, 3.6A Maximum Continuous Drain Current, 1.3W Maximum Power Dissipation - IRLML0040TRPBF

This power MOSFET is engineered for efficiency and reliability in a range of electronic circuits. With low on-resistance and high performance, it is suitable for applications that demand energy efficiency and robust operation. This component is notable for its ability to manage significant electrical loads, which makes it relevant for engineers and professionals in the automation and electronics sectors.

Features & Benefits

• Low RDS(on) of 56mΩ reduces switching losses

• Supports enhancement mode for efficient power control

• Maximum continuous drain current of 3.6A for steadfast operation

• Operates at a maximum drain-source voltage of 40V

• Designed for surface mount technology, perfect for compact designs

• Compatible with HEXFET technology for high performance

Applications

• Ideal for load and system switch

• Utilised in DC motor drive systems

• Effective for high-speed switching and amplifiers

• Suitable for surface mount in compact circuitry

• Employed in various power electronic circuits

What is the thermal resistance of this device?

The thermal resistance is typically 100°C/W, ensuring efficient heat dissipation during operation.

How does the gate threshold voltage impact device performance?

The gate threshold voltage ranges from 1.0 V to 2.5 V, providing flexibility in gate control across various applications.

Can it handle pulsed drain currents?

Yes, this component can endure pulsed drain currents that exceed its continuous rating, ensuring reliability in transient conditions.

What factors influence the maximum power dissipation of this component?

Power dissipation is mainly affected by ambient temperature and thermal resistance, which impact the junction temperature under load.

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.