Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML9301TRPBF

RS Stock No.:: 725-9366
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML9301TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML9301TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB182.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB195.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 54,200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB9.149	THB182.98
760 - 1480	THB8.92	THB178.40
1500 +	THB8.783	THB175.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 725-9366
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML9301TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	64mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.8nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Width	1.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-45-320

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Width 1.4 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-45-320

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 3.6A Maximum Continuous Drain Current - IRLML9301TRPBF

This MOSFET semiconductor is designed for efficient power management in various electronic applications. It features a surface mount (SOT-23) design for easy integration in compact electronic circuits. The component operates effectively with a maximum continuous drain current of 3.6A and can handle a maximum drain-source voltage of 30V.

Features & Benefits

• Enhancement mode configuration allows for efficient operation

• High gate threshold voltage range enhances reliability

• Greater thermal resilience

• Optimised for Pulled Drain Current ratings, increasing performance reliability

Applications

• Used for power management in portable gadgets

• Ideal for automation control systems

• Utilised in audio amplifiers and signal processors

• Suitable for DC-DC converters in renewable energy systems

• Great fit for driving motors in robotic

What is the impact of the low on-resistance value on performance?

The low on-resistance of 64mΩ allows for reduced heat generation during operation, enhancing overall efficiency and prolonging component life in high-current applications.

How does the enhancement mode benefit circuit design?

The enhancement mode enables the MOSFET to remain off until a specific gate voltage is reached, providing reliable switching control suited for various electronic designs without unnecessary power loss.

Can this component handle high temperatures?

Yes, it is designed to operate reliably at temperatures up to +150°C, making it suitable for applications exposed to harsh environments or intensive use.