Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3

RS Stock No.:: 710-3263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2325DS-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB224.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB240.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,095 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB44.976	THB224.88
750 - 1495	THB43.85	THB219.25
1500 +	THB43.18	THB215.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 710-3263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2325DS-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	530mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	SOT-23
	Series	Si2325DS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	750mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.7nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.4 mm
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 530mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type SOT-23
	Series Si2325DS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 750mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.7nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.4 mm
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง