Vishay Si7309DN Type P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7309DN-T1-E3
- RS Stock No.:
- 710-3386
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7309DN-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB207.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB222.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 8,725 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB41.52 | THB207.60 |
| 750 - 1495 | THB40.484 | THB202.42 |
| 1500 + | THB39.86 | THB199.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 710-3386
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7309DN-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | Si7309DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.115Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.8W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21 | |
| Width | 3.05 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series Si7309DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.115Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.8W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.05mm | ||
Height 1.04mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21 | ||
Width 3.05 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si7309DN Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7415DN-T1-GE3
- Vishay Si7615ADN Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Si7615ADN Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7615ADN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual