Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET, 0.19 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TP0610K-T1-E3
- RS Stock No.:
- 152-6382
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TP0610K-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB150.575
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB161.125
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 50 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB6.023 | THB150.58 |
| 750 - 1475 | THB5.873 | THB146.83 |
| 1500 + | THB5.782 | THB144.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 152-6382
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TP0610K-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TP0610K | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.64 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TP0610K | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.64 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Halogen-free
Definition
TrenchFET® Power MOSFET
High-Side Switching
Low On-Resistance: 6
Low Threshold: - 2 V (typ.)
Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.)
Low Input Capacitance: 20 pF (typ.)
2000 V ESD Protection
APPLICATIONS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display,
Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Power Supply Converter Circuits
Solid-State Relays
BENEFITS
Ease in Driving Switches
Low Offset (Error) Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Easily Driven without Buffer
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TP0610K Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TP0610K-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-E3
- Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3
- Vishay Si7309DN Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Si7309DN Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7309DN-T1-E3
