Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB287.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB307.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • 11,160 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 09 มีนาคม 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB14.355THB287.10
760 - 1480THB13.996THB279.92
1500 +THB13.78THB275.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-3241
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2303CDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.33Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง