Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 12 V Enhancement, 3-Pin Micro

RS Stock No.:: 919-4713
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6401TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 12 V Enhancement, 3-Pin Micro

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB12,558.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,437.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

231,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB4.186	THB12,558.00
6000 - 9000	THB4.061	THB12,183.00
12000 +	THB3.939	THB11,817.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4713
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6401TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Series	HEXFET
	Package Type	Micro
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	50mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4 mm
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Series HEXFET
	Package Type Micro
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4 mm
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: PH

Infineon HEXFET Series MOSFET, 4.3A Maximum Continuous Drain Current, 1.3W Maximum Power Dissipation - IRLML6401TRPBF

This P-Channel MOSFET is designed for efficiency, making it suitable for applications that demand effective power management. Utilising HEXFET technology, it provides low on-resistance, resulting in reduced power loss during operation. The robust design enables it to endure high temperatures, making it suitable for environments where performance is essential.

Features & Benefits

• Advanced processing for very low on-resistance

• Maximum drain source voltage of 12V

• Continuous drain current capability of 4.3A

• Junction temperature tolerance up to 150°C

• Optimised for fast switching applications, enhancing efficiency

• Compact SOT-23 package for space-efficient circuit designs

Applications

• Battery and load management systems

• Portable electronics where low-profile components are required

• Power management solutions in PCMCIA cards

• Automation systems that require dependable switching

• Electronic circuits needing a compact surface mount design

What is the impact of higher temperatures on performance?

Higher temperatures can increase the on-resistance, potentially reducing efficiency. The device operates safely up to 150°C, maintaining functionality under challenging conditions.

How does the gate threshold voltage affect operation?

The gate threshold voltage, between 0.4V and 0.95V, indicates the minimum voltage necessary to activate the device. Staying within this range ensures effective load switching.

Is this product suited for fast-switching applications?

Yes, the MOSFET facilitates quick transitions between on and off states, reducing energy loss and enhancing circuit responsiveness.

What precautions should be taken during installation?

It’s advisable to use a suitable heat sink when operating near the maximum current rating to prevent overheating. Proper soldering techniques are recommended due to its surface mount design.

Can this device be used for high-power applications?

The device can continuously manage 4.3A; however, evaluating the specific application's power requirements and thermal management is essential for optimal performance.