Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF630NPBF

RS Stock No.:: 543-0068
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF630NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF630NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB39.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB42.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

9 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 570 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB39.70
13 - 24	THB38.70
25 +	THB38.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 543-0068
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF630NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	300mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	82W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.54mm
	Standards/Approvals	No
	Height	8.77mm
	Width	4.69 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 82W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.54mm
	Standards/Approvals No
	Height 8.77mm
	Width 4.69 mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 9.3A Maximum Continuous Drain Current, 82W Maximum Power Dissipation - IRF630NPBF

This N-channel MOSFET is designed for a range of applications in the automation and electronics sectors. It offers optimal power dissipation capabilities and efficient performance, crucial for high-performance systems. With a maximum drain-source voltage of 200V and a continuous drain current of 9.3A, it ensures dependable operation in challenging electronic environments.

Features & Benefits

• High power rating supports extensive electrical applications

• Efficient design lowers thermal resistance for effective cooling

• Fast switching speeds improve performance in dynamic systems

• Simple drive requirements aid in circuit integration

• Fully avalanche rated, making it suitable for rugged conditions

Applications

• Utilised in industrial power supplies to maintain stable voltage regulation

• Employed in motor control systems for efficient functionality

• Ideal for DC-DC converters and power management circuits

• Used in HVAC systems to control compressor motors

• Appropriate for renewable energy systems, enhancing power efficiency

What is the maximum gate-source voltage that can be applied?

The maximum gate-source voltage is ±20V, ensuring compatibility with various circuit designs.

How does the device handle thermal dissipation during operation?

It has a power dissipation capacity of 82W, allowing for efficient heat management while in use.

Is there a specific mounting type recommended for optimal performance?

The MOSFET is intended for through-hole mounting, which promotes reliable thermal management and electrical connectivity.