Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 145-8608
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4020PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,701.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,820.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB34.029	THB1,701.45
100 - 150	THB33.289	THB1,664.45
200 +	THB32.549	THB1,627.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-8608
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4020PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.66mm
	Height	9.02mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.66mm
	Height 9.02mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 18A Maximum Continuous Drain Current - IRFB4020PBF

This MOSFET is a power-switching transistor designed for high-voltage, high-current applications where robust thermal endurance is required. It operates as an N-channel enhancement device in a through-hole TO-220 package, providing a practical solution for discrete power stages and board-mounted switching circuits across a wide temperature range.

Features and Benefits:

• 200V drain rating enables high-voltage switching applications
• 18A continuous drain current supports substantial load currents
• 100W power dissipation permits elevated power handling
• 100 mΩ Rds(on) minimises conduction losses under load
• 18 nC typical gate charge yields faster switching transitions
• 1.3V forward voltage lowers diode conduction drop during recovery

Applications

• Suitable for motor-drive half-bridge stages
• Ideal for offline switch-mode power supplies
• Used with power converters requiring through-hole mounting
• Can be used for high-voltage relay and solenoid drivers
• Appropriate for laboratory prototypes and bench power experiments

What gate-voltage limits should designers observe for safe operation?

The gate-source voltage must not exceed ±20V to avoid damaging the gate oxide and to maintain reliable switching behaviour.

How does the device perform across temperature extremes?

It is rated to operate from -55 °C up to 175 °C, allowing use in environments with wide thermal variation while maintaining specified electrical characteristics.

What package considerations affect PCB layout and cooling?

The TO-220 through-hole form factor provides a single insulated mounting tab and allows direct attachment to a heatsink or chassis for improved thermal management.

How does the body diode influence switching-topology choice?

The intrinsic diode with a 1.3V forward drop should be accounted for in designs with reverse-recovery events to manage dissipation and determine snubber requirements.