Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 9.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7493TRPBF
- RS Stock No.:
- 165-8052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7493TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (4000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 4000)*
THB86,572.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB92,632.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB21.643 | THB86,572.00 |
| 8000 - 12000 | THB20.994 | THB83,976.00 |
| 16000 + | THB20.364 | THB81,456.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-8052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7493TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type SOIC | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.5mm | ||
Length 5mm | ||
Width 4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7493TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF630NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR4292TRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC