Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 165-8052
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7493TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB70,948.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75,916.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB17.737	THB70,948.00
8000 - 12000	THB17.204	THB68,816.00
16000 +	THB16.688	THB66,752.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-8052
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7493TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง