Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR4292TRL
- RS Stock No.:
- 222-4614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR4292TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB626.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB669.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,890 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB62.604 | THB626.04 |
| 20 - 90 | THB61.038 | THB610.38 |
| 100 - 240 | THB59.513 | THB595.13 |
| 250 - 490 | THB58.024 | THB580.24 |
| 500 + | THB56.573 | THB565.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR4292TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 345mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.22mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.73 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 345mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.22mm | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.73 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance Fast switching
Lead-Free, RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF630NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7493TRPBF
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementS5X(M
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247