Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9.3 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB108,954.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB116,580.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB36.318THB108,954.00
6000 - 6000THB34.921THB104,763.00
9000 +THB34.479THB103,437.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4613
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRFR4292TRL
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.39mm

Standards/Approvals

No

Width

6.73 mm

Length

6.22mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance Fast switching

Lead-Free, RoHS Compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง